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碳化硅肖特基二极管(SiC SBD)

作者:深圳市豪林电子有限公司 浏览: 发表时间:2022-04-15 14:47:35
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碳化硅(SiC)是一种适用于功率半导体的革命性材料,其物理属性远远优于硅功率器件。关键特性包括标杆性的开关性能、没有反向恢复电流、温度几乎不会影响开关行为、标准工作温度范围为-55℃至175℃。碳化硅肖特基二极管(SiC SBD)的器件采用了结势垒肖特基二极管结构(JBS),可以有效降低反向漏电流,具备更好的耐高压能力。

碳化硅肖特基二极管是一种单极型器件,因此相比于传统的硅快恢复二极管(Si FRD),碳化硅肖特基二极管具有理想的反向恢复特性。在器件从正向导通向反向阻断转换时,几乎没有反向恢复电荷,反向恢复时间小于20ns,甚至600V10A的碳化硅肖特基二极管的反向恢复时间在10ns以内。因此碳化硅肖特基二极管可以工作在更高的频率,在相同频率下具有更高的效率。另一个重要的特点是碳化硅肖特基二极管具有正的温度系数,随着温度的上升电阻也逐渐上升,这与硅FRD正好相反。这使得碳化硅肖特基二极管非常适合并联使用,增加了系统的安全性和可靠性。



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碳化硅肖特基二极管的主要优势


1. 几乎无开关损耗

2. 更高的开关频率

3. 更高的效率

4. 更高的工作温度

5. 正的温度系数,适合于并联工作

6. 开关特性几乎与温度无关


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应用领域


太阳能逆变器


太阳能发电用二极管的基本材料,碳化硅肖特基二极管的各项技术指标均优于普通双极二极管(silicon bipolar)技术。碳化硅肖特基二极管导通与关断状态的转换速度非常快,而且没有普通双极二极管技术开关时的反向恢复电流。在消除反向恢复电流效应后,碳化硅肖特基二极管的能耗降低70%,能够在宽温度范围内保持高能效,并提高设计人员优化系统工作频率的灵活性。


新能源汽车充电器

碳化硅肖特基二极管通过汽车及产品测试,极性接反击穿电压提高到650V,能够满足设计人员和汽车厂商希望降低电压补偿系数的要求,以确保车载充电半导体元器件的标称电压与瞬间峰压 ,之间有充足的安全裕度 。二极管的双管产品 ,可最大限度提升空间利用率,降低车载充电器的重量。


开关电源优势

碳化硅的使用可以极快的切换,高频率操作,零恢复和温度无关的行为,再加低电感RP包,这些二极管可以快速开关二极管电路或高频转换器应用。


工业优势

碳化硅肖特基二极管:重型电机、工业设备主要是用在高频电源的转换器上,可以带来高效率、大功率、高频率的优势。


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HL自主品牌

VD MOS、TRENCH MOS、SJ-MOS(COOL MOS)、SGT MOS、FR MOS、肖特基二极管、快恢复二极管、三端稳压管、电源开关管等。

现已推出第三代半导体,碳化硅二极管及碳化硅MOS管。

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碳化硅肖特基二极管系列型号


HLS065H006B

HLS065H008B

HLS065H010B

HLS065H020B

HLS065H030B

HLS065H060B

HLS120H006B

HLS120H010B

HLS120H015B

HLS120H020B


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HL自主品牌

VD MOS、TRENCH MOS、SJ-MOS(COOL MOS)、SGT MOS、FR MOS、肖特基二极管、快恢复二极管、三端稳压管、电源开关管等。

现已推出第三代半导体,碳化硅二极管及碳化硅MOS管。


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